RGW80TS65CHRC11

Rohm Semiconductor

RGW80TS65CHRC11

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT 650V 81A TO247N

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge110 nC
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)33 ns
Switching Energy120µJ (on), 340µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C43ns/145ns
Test Condition400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 40A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)81 A
Current - Collector Pulsed (Icm)160 A
Power - Max214 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247N

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)