RGW80TK65GVC11

Rohm Semiconductor

RGW80TK65GVC11

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM

AktivTO-3PFM, SC-93-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRGW80
Gate Charge110 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Switching Energy760µJ (on), 720µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C44ns/143ns
Test Condition400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 40A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)39 A
Current - Collector Pulsed (Icm)160 A
Power - Max81 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-3PFM, SC-93-3
Hersteller-GehäuseTO-3PFM

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~175°C(TJ)