RGW60TS65HRC11

Rohm Semiconductor

RGW60TS65HRC11

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRGW60
Gate Charge84 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Td (on/off) @ 25°C36ns/107ns
Test Condition400V, 15A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 30A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)64 A
Current - Collector Pulsed (Icm)120 A
Power - Max178 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247N

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~175°C(TJ)