RGW60NL65DHRBTL

Rohm Semiconductor

RGW60NL65DHRBTL

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRENCH FS 650V 67A TO263L

AktivTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge84 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
Reverse Recovery Time (trr)96 ns
Switching Energy180µJ (on), 250µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C34ns/122ns
Test Condition400V, 15A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 30A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)67 A
Current - Collector Pulsed (Icm)120 A
Power - Max187 W

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101