RGW50TK65GVC11

Rohm Semiconductor

RGW50TK65GVC11

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRNCH FIELD 650V 30A TO3PFM

AktivTO-3PFM, SC-93-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge73 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Switching Energy390µJ (on), 430µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C35ns/102ns
Test Condition400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 25A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)100 A
Power - Max67 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-3PFM, SC-93-3
Hersteller-GehäuseTO-3PFM

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)