RGW00TS65GC11

Rohm Semiconductor

RGW00TS65GC11

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N

AbgekündigtTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRGW00
Gate Charge141 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusNot For New Designs
Switching Energy1.18mJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C52ns/180ns
Test Condition400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 50A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)96 A
Current - Collector Pulsed (Icm)200 A
Power - Max254 W

Mechanisch

Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247N

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)