RGW00TS65EHRC11

Rohm Semiconductor

RGW00TS65EHRC11

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRGW00
Gate Charge141 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)90 ns
Td (on/off) @ 25°C50ns/183ns
Test Condition400V, 25A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 50A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)96 A
Current - Collector Pulsed (Icm)200 A
Power - Max254 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247N

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)