RGW00TS65DGC11

Rohm Semiconductor

RGW00TS65DGC11

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge141 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)95 ns
Switching Energy1.18mJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C52ns/180ns
Test Condition400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 50A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)96 A
Current - Collector Pulsed (Icm)200 A
Power - Max254 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247N

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~175°C(TJ)