RGTVX6TS65GC11

Rohm Semiconductor

RGTVX6TS65GC11

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRENCH FLD 650V 144A TO247N

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRGTVX6
Gate Charge171 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Switching Energy2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C45ns/201ns
Test Condition400V, 80A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 80A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)144 A
Current - Collector Pulsed (Icm)320 A
Power - Max404 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247N

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~175°C(TJ)