RGTVX6TS65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTVX6TS65DGC11

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRENCH FLD 650V 144A TO247N

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge171 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)109 ns
Switching Energy2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C45ns/201ns
Test Condition400V, 80A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 80A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)144 A
Current - Collector Pulsed (Icm)320 A
Power - Max404 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247N

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~175°C(TJ)