RGTV60TK65GVC11

Rohm Semiconductor

RGTV60TK65GVC11

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM

AktivTO-3PFM, SC-93-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRGTV60
Gate Charge64 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Switching Energy570µJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C33ns/105ns
Test Condition400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 30A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)33 A
Current - Collector Pulsed (Icm)120 A
Power - Max76 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-3PFM, SC-93-3
Hersteller-GehäuseTO-3PFM

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)