RGTV60TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

RGTV60TK65DGVC11

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM

AktivTO-3PFM, SC-93-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge64 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)95 ns
Switching Energy570µJ (on), 500µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C33ns/105ns
Test Condition400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 30A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)33 A
Current - Collector Pulsed (Icm)120 A
Power - Max76 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-3PFM, SC-93-3
Hersteller-GehäuseTO-3PFM

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~175°C(TJ)