RGTH60TS65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTH60TS65DGC11

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRNCH FIELD 650V 58A TO247N

AbgekündigtTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge58 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusNot For New Designs
Reverse Recovery Time (trr)58 ns
Td (on/off) @ 25°C27ns/105ns
Test Condition400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 30A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)58 A
Current - Collector Pulsed (Icm)120 A
Power - Max194 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247N

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~175°C(TJ)