RGTH00TK65DGC11

Rohm Semiconductor

RGTH00TK65DGC11

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRNCH FIELD 650V 35A TO3PFM

AktivTO-3PFM, SC-93-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge94 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusAktiv
Reverse Recovery Time (trr)225 ns
Td (on/off) @ 25°C39ns/143ns
Test Condition400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)35 A
Current - Collector Pulsed (Icm)200 A
Power - Max72 W

Mechanisch

Package / CaseTO-3PFM, SC-93-3
Hersteller-GehäuseTO-3PFM

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)