RGT8TM65DGC9

Rohm Semiconductor

RGT8TM65DGC9

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRENCH FLD 650V 5A TO220NFM

AktivTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge13.5 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusAktiv
Reverse Recovery Time (trr)40 ns
Td (on/off) @ 25°C17ns/69ns
Test Condition400V, 4A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 4A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)5 A
Current - Collector Pulsed (Icm)12 A
Power - Max16 W

Mechanisch

Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-220NFM

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)