RGT8NS65DGTL

Rohm Semiconductor

RGT8NS65DGTL

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRENCH FIELD 650V 8A LPDS

AbgekündigtTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge13.5 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
Reverse Recovery Time (trr)40 ns
Td (on/off) @ 25°C17ns/69ns
Test Condition400V, 4A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 4A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)12 A
Power - Max65 W

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseLPDS

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~175°C(TJ)