RGT8NS65DGC9

Rohm Semiconductor

RGT8NS65DGC9

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO262

AktivTO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge13.5 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)40 ns
Td (on/off) @ 25°C17ns/69ns
Test Condition400V, 4A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 4A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)12 A
Power - Max65 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Hersteller-GehäuseTO-262

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)