RGT40NS65DGTL

Rohm Semiconductor

RGT40NS65DGTL

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRENCH FIELD 650V 40A LPDS

AbgekündigtTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge40 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
Reverse Recovery Time (trr)58 ns
Td (on/off) @ 25°C22ns/75ns
Test Condition400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 20A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)60 A
Power - Max161 W

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseLPDS

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~175°C(TJ)