RGT40NL65DGTL

Rohm Semiconductor

RGT40NL65DGTL

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRENCH FIELD 650V 40A LPDS

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge40 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)58 ns
Td (on/off) @ 25°C22ns/75ns
Test Condition400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 20A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)60 A
Power - Max161 W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseLPDS

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~175°C(TJ)