RGT20TM65DGC9

Rohm Semiconductor

RGT20TM65DGC9

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRNCH FLD 650V 10A TO220NFM

AktivTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge22 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)42 ns
Td (on/off) @ 25°C12ns/32ns
Test Condition400V, 10A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 10A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)30 A
Power - Max25 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-220NFM

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~175°C(TJ)