RGT20NL65GTL

Rohm Semiconductor

RGT20NL65GTL

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRENCH FLD 650V 20A TO263AB

AktivAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge22 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Td (on/off) @ 25°C12ns/32ns
Test Condition400V, 10A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 10A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)30 A
Power - Max106 W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Hersteller-GehäuseTO-263AB

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)