RGT16TM65DGC9

Rohm Semiconductor

RGT16TM65DGC9

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRENCH FLD 650V 9A TO220NFM

AktivTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge21 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)42 ns
Td (on/off) @ 25°C13ns/33ns
Test Condition400V, 8A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 8A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)9 A
Current - Collector Pulsed (Icm)24 A
Power - Max22 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-220NFM

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~175°C(TJ)