RGT16BM65DTL

Rohm Semiconductor

RGT16BM65DTL

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRENCH FIELD 650V 16A TO252

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge21 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)42 ns
Td (on/off) @ 25°C13ns/33ns
Test Condition400V, 8A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 8A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)16 A
Current - Collector Pulsed (Icm)24 A
Power - Max94 W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~175°C(TJ)