RGSX5TS65HRC11

Rohm Semiconductor

RGSX5TS65HRC11

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRENCH FLD 650V 114A TO247N

AbgekündigtTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRGSX5TS65
Gate Charge79 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusNot For New Designs
Switching Energy3.32mJ (on), 1.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C43ns/113ns
Test Condition400V, 75A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 75A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)114 A
Current - Collector Pulsed (Icm)225 A
Power - Max404 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247N

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)