RGS80TSX2DGC11

Rohm Semiconductor

RGS80TSX2DGC11

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRENCH FLD 1200V 80A TO247N

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge104 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)198 ns
Switching Energy3mJ (on), 3.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C49ns/199ns
Test Condition600V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 40A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)120 A
Power - Max555 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247N

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~175°C(TJ)