RGS80TS65HRC11

Rohm Semiconductor

RGS80TS65HRC11

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRNCH FIELD 650V 73A TO247N

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRGS80
Gate Charge48 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Switching Energy1.05mJ (on), 1.03mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C37ns/112ns
Test Condition400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 40A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)73 A
Current - Collector Pulsed (Icm)120 A
Power - Max272 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247N

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~175°C(TJ)