RGS60TS65DHRC11

Rohm Semiconductor

RGS60TS65DHRC11

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT TRNCH FIELD 650V 56A TO247N

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge36 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)103 ns
Switching Energy660µJ (on), 810µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C28ns/104ns
Test Condition400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 30A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)56 A
Current - Collector Pulsed (Icm)90 A
Power - Max223 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247N

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~175°C(TJ)