RFVS8TG6SGC9

Rohm Semiconductor

RFVS8TG6SGC9

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACFP

AktivTO-220-2Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRFVS8
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)40 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If3 V @ 8 A
Current - Average Rectified (Io)8A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 600 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-2
Hersteller-GehäuseTO-220ACFP

Umwelt

Operating Temperature - Junction150°C (Max)