RFUH10TF6S

Rohm Semiconductor

RFUH10TF6S

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM

AbgekündigtTO-220-2Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRFUH10
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusNot For New Designs
Reverse Recovery Time (trr)25 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If2.8 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io)10A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 600 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-220-2
Hersteller-GehäuseTO-220NFM

Umwelt

Operating Temperature - Junction150°C (Max)