RFS60TZ6SGC13

Rohm Semiconductor

RFS60TZ6SGC13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 650V 60A TO247GE

AktivTO-247-2Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRFS60
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)55 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If2.3 V @ 60 A
Current - Average Rectified (Io)60A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 650 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-2
Hersteller-GehäuseTO-247GE

Umwelt

Operating Temperature - Junction175°C