RFN2VWM2STFTR

Rohm Semiconductor

RFN2VWM2STFTR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 200V 2A PMDE

Aktiv2-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRFN2VWM2
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)25 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If990 mV @ 2 A
Current - Average Rectified (Io)2A
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 200 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case2-SMD, Flat Lead
Hersteller-GehäusePMDE

Umwelt

Operating Temperature - Junction175°C