RFN1LAM6STR

Rohm Semiconductor

RFN1LAM6STR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

AktivSOD-128Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRFN1LAM6
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
Reverse Recovery Time (trr)35 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.45 V @ 800 mA
Current - Average Rectified (Io)800mA
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 600 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

Package / CaseSOD-128
Hersteller-GehäusePMDTM

Umwelt

Operating Temperature - Junction150°C (Max)