RFN10NS3STL

Rohm Semiconductor

RFN10NS3STL

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 350V 10A LPDS

AktivAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRFN10
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)350 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.5 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io)10A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 350 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Hersteller-GehäuseLPDS

Umwelt

Operating Temperature - Junction150°C