RF6C055BCTCR

Rohm Semiconductor

RF6C055BCTCR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6

Aktiv6-SMD, Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs25.8mOhm @ 5.5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1080 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A (Ta)
Max. Verlustleistung1W (Tc)

Mechanisch

Package / Case6-SMD, Flat Leads
Hersteller-GehäuseTUMT6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)