RF601T2D

Rohm Semiconductor

RF601T2D

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE ARRAY GP 200V 3A TO220FN

AktivTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRF601
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)25 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If930 mV @ 3 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)3A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 200 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-220FN

Umwelt

Operating Temperature - Junction150°C (Max)