RF4E060AJTCR

Rohm Semiconductor

RF4E060AJTCR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8

Aktiv8-PowerUDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs37mOhm @ 6A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds450 pF @ 15 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)
Max. Verlustleistung2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerUDFN
Hersteller-GehäuseHUML2020L8

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)