RE1L002SNTL

Rohm Semiconductor

RE1L002SNTL

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3F

AbgekündigtSC-89, SOT-490Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4Ohm @ 250mA, 10V
Basis-TeilenummerRE1L002
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15 pF @ 25 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C250mA (Ta)
Max. Verlustleistung150mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-89, SOT-490
Hersteller-GehäuseEMT3F (SOT-416FL)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)