RE1C002UNTCL

Rohm Semiconductor

RE1C002UNTCL

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F

AktivSC-89, SOT-490Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 100mA, 2.5V
Basis-TeilenummerRE1C002
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds25 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 2.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta)
Max. Verlustleistung150mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-89, SOT-490
Hersteller-GehäuseEMT3F (SOT-416FL)

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)