RD3T050CNTL1

Name: RD3T050CNTL1
Brand: Rohm Semiconductor

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 200V 5A TO252

AktivTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	760mOhm @ 2.5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	330 pF @ 25 V
Hersteller	Rohm Semiconductor
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.25V @ 1mA

Drain-Source-Spannung	200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A (Tc)
Max. Verlustleistung	29W (Tc)

Package / Case	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-Gehäuse	TO-252

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)