RCX100N25

Rohm Semiconductor

RCX100N25

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 250V 10A TO220FM

AktivTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRCX100
FET TypeN-Channel
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
Max. Verlustleistung40W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-220FM

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)