RBLQ3LAM10TR

Rohm Semiconductor

RBLQ3LAM10TR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 3A

ObsoletSOD-128Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRBLQ3
Capacitance @ Vr, F140pF @ 4V, 1MHz
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieSchottky

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If640 mV @ 3 A
Current - Average Rectified (Io)3A
Current - Reverse Leakage @ Vr30 µA @ 100 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOD-128
Hersteller-GehäusePMDTM

Umwelt

Operating Temperature - Junction175°C