RBLQ2MM10TR

Rohm Semiconductor

RBLQ2MM10TR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 2A

AktivSOD-123FAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRBLQ2
Capacitance @ Vr, F50pF @ 4V, 1MHz
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieSchottky

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If770 mV @ 2 A
Current - Average Rectified (Io)2A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 100 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOD-123F
Hersteller-GehäusePMDU

Umwelt

Operating Temperature - Junction175°C