RBLQ20NL10STL

Rohm Semiconductor

RBLQ20NL10STL

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 20A

ObsoletAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerRBLQ20
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieSchottky

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If860 mV @ 20 A
Current - Average Rectified (Io)20A
Current - Reverse Leakage @ Vr80 µA @ 100 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Hersteller-GehäuseTO-263L

Umwelt

Operating Temperature - Junction150°C