RAQ045P01TCR

Name: RAQ045P01TCR
Brand: Rohm Semiconductor

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6

AktivSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 4.5A, 4.5V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4200 pF @ 6 V
Hersteller	Rohm Semiconductor
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	-8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA

Drain-Source-Spannung	12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.5A (Ta)
Max. Verlustleistung	600mW (Ta)

Package / Case	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-Gehäuse	TSMT6 (SC-95)

Betriebstemperatur	150°C (TJ)