R6509ENJTL

Name: R6509ENJTL
Brand: Rohm Semiconductor

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 9A LPTS

AktivTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	585mOhm @ 2.8A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	430 pF @ 25 V
Hersteller	Rohm Semiconductor
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 230µA

Drain-Source-Spannung	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Max. Verlustleistung	94W (Tc)

Package / Case	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-Gehäuse	LPTS

Betriebstemperatur	150°C (TJ)