R6025JNZ4C13

Rohm Semiconductor

R6025JNZ4C13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 25A TO247G

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs182mOhm @ 12.5A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1900 pF @ 100 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id7V @ 4.5mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tc)
Max. Verlustleistung306W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247G

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)