R6025ANZFL1C8

Rohm Semiconductor

R6025ANZFL1C8

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 25A TO3

ObsoletTO-3P-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 12.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3250 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusObsolet
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tc)
Max. Verlustleistung150W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-3P-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-3PF

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)