R6024ENZ4C13

Rohm Semiconductor

R6024ENZ4C13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 24A TO247

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs165mOhm @ 24A, 15V
Basis-TeilenummerR6024
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 15 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Tc)
Max. Verlustleistung245W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247