R6012JNJGTL

Rohm Semiconductor

R6012JNJGTL

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 12A LPTS

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs390mOhm @ 6A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds900 pF @ 100 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id7V @ 2.5mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
Max. Verlustleistung160W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseLPTS

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)