R6010ANX

Rohm Semiconductor

R6010ANX

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM

AbgekündigtTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerR6010
FET TypeN-Channel
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
Product StatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
Max. Verlustleistung50W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-220FM

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)